IBM und Fertigungspartner zeigen 5-Nanometer-Transistor mit "Gate All Around" from Heise's blog

IBM meldet die erfolgreiche Fertigung erster Chip-Muster mit GAA-FETs mit 5-nm-Strukturen; bei diesen Nanosheet-Transistoren kam auch EUV-Lithografie zum Einsatz.

Source: https://www.heise.de/newsticker/meldung/IBM-und-Fertigungspartner-zeigen-5-Nanometer-Transistor-mit-Gate-All-Around-3735027.html?wt_mc=rss.ho.beitrag.rdf