Phase Change Memory mit drei Bits pro Zelle from Heise's blog

Mit einer experimentellen Triple-Level-Cell-Version wollen IBMs Forscher dem Durchbruch des Flash-Nachfolgekandidaten Phase Change Memory auf die Sprünge helfen.

Source: http://www.heise.de/newsticker/meldung/Phase-Change-Memory-mit-drei-Bits-pro-Zelle-3209246.html?wt_mc=rss.ho.beitrag.rdf